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揚聲器主要特性參數
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5 | 2010-12-18
1、標稱功率 標稱功率又稱額定功率或不失真功率，它是非線性失真不超過標準規范條件（一般不超過7-10%）下的 大輸入功率。揚聲器在這一正常功率下長期工作不應損壞。 2、標稱阻抗 制造廠產品標準所規定的阻抗值，在...
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常用運算放大器
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5 | 2010-12-18
CA3130 高輸入阻抗運算放大器 CA3140 高輸入阻抗運算放大器 CD4573 四可編程運算放大器 MC14573, ICL7650 斬波穩零放大器 LF347 帶寬四運算放大器 KA347 LF351 BI-FET單運算放大器 LF353 BI-FET雙運算放...
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[圖文] 發光二極管特殊應用幾例
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5 | 2010-12-18
發光二極管是我們經常用到的器件，這里我們介紹幾種它的特殊用法，這對于條件有限的業余電子愛好者在電子制作中有時會很有幫助（見附圖）。 圖（a）是用發光二極管LED監視電池電壓的應用電路。電路中穩壓管DW的穩壓...
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高頻管和低頻管的判別
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5 | 2010-12-18
高頻管和低頻管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。 這里介紹如何用萬用表來快速判別它高頻管與低頻管。判別方法為： 首先用萬用表測量三極管發射極的反向電阻，如果是測量PNP型管，萬用表的負端接基極，正端接...
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充電電池
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3 | 2010-12-18
充電電池A、鎳鎘電池（Ni-Cd） 電壓：1.2V 使用壽命為：500次 放電溫度為：-20度～60度 充電溫度為：0度～45度 備注：耐過充能力較強。 B、鎳氫電池（Ni-Mh） 電壓：1.2V 使用壽命為：1000次 放電溫度為：-10度～45...
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用萬用表檢測可控硅
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6 | 2010-12-18
可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其...
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溫控器
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6 | 2010-12-18
溫度控制器是對空調房間的溫度進行控制的電開關設備。溫度控制器所控制的空調房間內的溫度范圍一般在18℃--28℃。窗式空調常用的溫度控制器是以壓力作用原理來推動觸點的通與斷。其結構由波紋管、感溫包（測試管）...
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熱電偶和熱電阻的區別
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7 | 2010-12-18
熱電偶與熱電阻均屬于溫度測量中的接觸式測溫,盡管其作用相同都是測量物體的溫度,但是他們的原理與特點卻不盡相同. 首先,介紹一下熱電偶,熱電偶是溫度測量中應用 廣泛的溫度器件,他的主要特點就是測吻范圍寬,性能...
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壓電晶體
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6 | 2010-12-18
有一類十分有趣的晶體，當你對它擠壓或拉伸時，它的兩端就會產生不同的電荷。這種效應被稱為壓電效應。能產生壓電效應的晶體就叫壓電晶體。水晶（α-石英）是一種有名的壓電晶體。 如果按一定方向對水晶晶體上切下...
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駐極體話筒的基本知識
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4 | 2010-12-18
駐極體話筒具有體積小、結構簡單、電聲性能好、價格低的特點，廣泛用于盒式錄音機、無線話筒及聲控等電路中。 駐極體話筒由聲電轉換和阻抗變換兩部分組成。它的內部結構如圖1所示。聲電轉換的關鍵元件是駐極體振動...
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巧焊電子元器件的接頭
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6 | 2010-12-18
當印刷設備電子元件或主控電氣元件的焊腳松動或出現虛焊、線頭脫落時，它所在的電子線路或主控線路就容易發生故障，往往造成機器不運轉或失控等，嚴重時還會導致系列故障的連續發生，損壞電子元器件等。 電子元器...
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數字鎖相環
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4 | 2010-12-18
模擬鎖相環路（ APLL） 已在模擬和數字通信已經無線電電子學領域獲得極為廣泛的應用。隨著大規模、超高速數字集成電路的發展以及計算機的普及運用，為研究和制作全數字鎖相環路（ ADPLL） 提供了極為有利的條件。數...
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源于愛迪生效應的電子管的發明
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5 | 2010-12-18
19世紀末20世紀初，電子學逐漸成為一門新的技術學科。 提到電子技術領域中 重要的一項發明棗電子管，還要追溯到碳絲燈的發明。 1879年10月19日，美國著名發明家愛迪生成功地使第一盞由竹篾燒成的碳絲制成的白...
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測試阻抗時測量錯誤的潛在來源
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11 | 2010-12-18
測量阻抗 使用或任何其它 TDR 測量阻抗時，存在一些潛在的測量錯誤來源。本應用說明用於解釋潛在錯誤來源以及消除它們的方法，以便獲取可重覆性和精確的測量結果。 為了獲取 為精確的測量結果，應該選擇哪一探棒？...
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控制阻抗簡介
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4 | 2010-12-18
隨著 PCB 信號切換速度不斷增長，當今的 PCB 設計廠商需要理解和控制 PCB 線路的阻抗。相應于現代數位電路較短的信號傳輸時間和較高的時鐘速率，PCB 線路不再是簡單的連接，而是傳輸線路。什么是控制阻抗？ 可能 ...
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led參數簡介
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3 | 2010-12-18
LED是利用化合物材料制成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的電學特性：I-V特性、C-V特性和光學特性：光譜響應特性、發光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。 1、LED電學特性 1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結制備...
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三極管知識
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4 | 2010-12-18
晶體三極管的結構和類型 晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，...
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無線電產生的歷史
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4 | 2010-12-18
當你打開收音機時，優美的音樂、動聽的歌曲就會傳來；當你給遠方的朋友祝賀生日時，你可以拍一封電報送去，你的朋友馬上就會收到你的賀詞。那么，是什么迅速傳遞著這些信息呢?這就是充斥在空氣中的電磁波。我們每時...
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晶體管的產生歷史
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9 | 2010-12-18
晶體管的發明，開創了一個新時代。有人說，我們今天能進入信息時代，全托晶體管的福。如果說電子管是電子工業的“祖父”，則晶體管是現代電子業“之父”，這話是有道理的。可以說晶體管是打開信息時代大門的金鑰匙...
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電子管的搖籃(產生歷史)
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11 | 2010-12-18
十九世紀，人類在發明了無線電報之后，還進一步希望能用電波來傳送聲音。 1906年，人們第一次利用調幅波在空中傳送了聲音。利用電波傳送聲音需要在發射和接收的時候用某種器件放大電波信號。這種器件可以說是從愛迪...
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電子技術基礎試題
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14 | 2010-12-18
一、填空題（每空2分，共20分）： 1、串聯電容器的總電容比每個電容器的電容（ ）。每個電容器 兩端的電壓和自身電容成（ ）。 2、某正弦交流電流i=10 sin(100 t- )mA,則它的 大值Im=( )mA, 有效值I=( ) mA，頻率f...
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[圖文] IGBT原理
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27 | 2010-12-18
以N溝道的為例。圖一為點型結構 、看圖三的(A)，對應著圖一看。 以發射極為參考，當柵電壓高于VTH時，會在柵下方的P區形成電子的導電溝道。MOS管導通。兩塊綠色區域夾著的P這個整體構成MOS。兩個紅色和中間的綠色構...
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PN結電容
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6 | 2010-12-18
PN結電容分為兩部分，勢壘電容和擴散電容。 PN結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域的電荷數量的改變，從而顯現電容效應。 當所加的正向電壓升高時，多子(N區的電子、P區的空穴)進入耗盡區，相當于...
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集成電路的種類與用途
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4 | 2010-12-18
在電子行業，集成電路的應用非常廣泛，每年都有許許多多通用或專用的集成電路被研發與生產出來，本文將對集成電路的知識作一全面的闡述。 集成電路的種類 集成電路的種類很多，按其功能不同可分為模擬集成電路...
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元器件的裝配方式與布局
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6 | 2010-12-18
在設計裝配方式之前，要求將整機的電路基本定型，同時還要根據整機的體積以及機殼的尺寸來介紹元器件在印刷電路板上的裝配方式。 具體做這一步工作時，可以先確定好印刷電路板的尺寸，然后將元器件配齊，根據元器件...
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集成電路發展史
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4 | 2010-12-18
早期發展 早在1830年，科學家已于實驗室展開對半導體的研究。他們 初的研究對象是一些在加熱后電阻值會增加的元素和化合物。這些物質有一共同點，當它們被光線照射時，會容許電流單向通過，我們可借此控制電流的方...
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[圖文] 去耦電容和旁路電容
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8 | 2010-12-18
電子線路中的同一個電容，有時候會稱它去耦電容，有時候又會稱它為旁路電容。 電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，但是，當我們從不同的角度去看時，它所起的作用是不同的，所以才有的不同的稱謂...
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[圖文] 真空三極管
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7 | 2010-12-18
1906年10月25日，美國科學家德·福雷斯特申請了真空三極管放大器的專利，第二天又向美國電氣工程師協會提交了關于三級管放大器的論文。他的專利于1907年1月15日被批準。 美國科學家德·福雷斯特（Lee de Forest，1...
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[組圖] 霍耳效應·霍爾傳感器
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9 | 2010-12-18
在電子科技領域里有許許多多的“效應”，如場效應、霍耳效應等，對這些效應的認識和理解，對于我們提高應用能力、啟發創新思維必然會有幫助。所以，我決定從現在起，開始搜集各種效應的資料，貼在這里與大家分享。...
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[組圖] 熱電效應·熱電偶
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11 | 2010-12-18
1821年，德國物理學家塞貝克發現，在兩種不同的金屬所組成的閉合回路中，當兩接觸處的溫度不同時，回路中會產生一個電勢，這就是熱電效應，也稱作“塞貝克效應（Seebeck effect）”。 Thomas Johann Seebeck（1780...
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