內(nèi)存的傳輸類型

　　傳輸類型，是指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型。不同類型的內(nèi)存，傳輸類型各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面，都有不同。目前，市場(chǎng)中主要有的內(nèi)存類型有 SDRAM、DDR SDRAM 和 RDRAM 三種。其中，DDR SDRAM 內(nèi)存占據(jù)了市場(chǎng)的主流，而 SDRAM 內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM 則始終未成為市場(chǎng)的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場(chǎng)，RDRAM 前景并不被看好。

　　1) SDRAM

　　SDRAM，即 Synchronous DRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），曾經(jīng)是 PC 電腦上 為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天，SDRAM 仍舊還在市場(chǎng)占有一席之地。既然是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。

　　SDRAM 內(nèi)存又分為 PC66、PC100、PC133 等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字，就代表著該內(nèi)存 大所能正常工作的系統(tǒng)總線速度，如 PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為 100MHz 的電腦中同步工作。

　　與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間。同步還使存儲(chǔ)控制器知道在哪一個(gè)時(shí)鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請(qǐng)求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM 采用 3.3 伏工作電壓，168Pin 的 DIMM 接口，帶寬為 64 位。SDRAM 不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。

　　2) DDR

　　嚴(yán)格的說，DDR 應(yīng)該叫 DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為 DDR。部分初學(xué)者也常看到 DDR SDRAM，就認(rèn)為是 SDRAM。DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM 的縮寫，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。

　　DDR 內(nèi)存是在 SDRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用 SDRAM 生產(chǎn)體系。因此，對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通 SDRAM 的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實(shí)現(xiàn) DDR 內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　SDRAM 在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而 DDR 內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)。因此，稱為雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR 內(nèi)存可以在與 SDRAM 相同的總線頻率下，達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

　　與 SDRAM 相比，DDR 運(yùn)用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)輸送和輸出的主要步驟，既獨(dú)立執(zhí)行，又保持與 CPU 完全同步。DDR 使用了 DLL(Delay Locked Loop，延時(shí)鎖定回路提供一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào))技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時(shí)，存儲(chǔ)控制器可使用這個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)來精確定位數(shù)據(jù)，每 16 次輸出一次，并重新同步來自不同存儲(chǔ)器模塊的數(shù)據(jù)。DDR 本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率，就能加倍提高 SDRAM 的速度，它允許在時(shí)鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn) SDRA 的兩倍。

　　從外形體積上看，DDR 與 SDRAM 相比差別并不大。他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但 DDR 為 184 針腳，比 SDRAM 多出了 16 個(gè)針腳，主要含了新的控制、時(shí)鐘、電源和接地等信號(hào)。DDR 內(nèi)存采用的是支持 2.5V 電壓的 SSTL2 標(biāo)準(zhǔn)，而不是 SDRAM 使用的 3.3V 電壓的 LVTTL 標(biāo)準(zhǔn)。

　　3) RDRAM

　　RDRAM（Rambus DRAM）是美國(guó)的 RAMBUS 公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與 DDR 和 SDRAM 不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時(shí)，因?yàn)槠鋸氐赘淖兞藘?nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn) RDRAM，還必須要加納一定專利費(fèi)用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了 RDRAM 從一問世就高昂的價(jià)格，讓普通用戶無法接收。而同時(shí)期的 DDR 則能以較低的價(jià)格，不錯(cuò)的性能，逐漸成為主流，雖然 RDRAM 曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。

　　RDRAM 的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位寬是 16 位，遠(yuǎn)低于 DDR 和 SDRAM 的 64 位。但在頻率方面，則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者，可以達(dá)到 400MHz 乃至更高。同樣也是在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)到 1.6Gbyte/s。

　　普通的 DRAM 行緩沖器的信息，在寫回存儲(chǔ)器后便不再保留，而 RDRAM 則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲(chǔ)器訪問時(shí)，如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù)，則可利用，因而實(shí)現(xiàn)了高速訪問。另外，其可把數(shù)據(jù)集中起來，以分組的形式傳送。所以，只要 初用 24 個(gè)時(shí)鐘，以后便可每 1 時(shí)鐘讀出 1 個(gè)字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度，可以達(dá)到 256 字節(jié)。

　　4) DDR2

　　DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM，是由 JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代 DDR 內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞剑?DDR2 內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代 DDR 內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit 數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說，DDR2 內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以 4 倍于外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線 4 倍的速度運(yùn)行。