提高電腦性能優(yōu)化內(nèi)存設(shè)置

　　為你的電腦提高性能,教你怎么優(yōu)化電腦內(nèi)存的設(shè)置.

　　目前主流主板BIOS中常見的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置選項主要有以下幾種：CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、Row Precharge Timing （tRP）、Min RAS Active Timing（tRAS），部分主板還提供了Command Per Clock（CMD）選項。除了上述常見參數(shù)設(shè)置外，大部分主板的BIOS中還提供了內(nèi)存高級參數(shù)設(shè)置，這些參數(shù)括：Row to Row Delay（或RAS to RAS delay，tRRD）、Row Cycle Time（tRC）、Write Recovery Time（tWR）、Write to Read Delay（tWTR）、Refresh Period（tREF）等。需要提醒大家的是，不同主板廠商、不同品牌的BIOS在參數(shù)名稱上可能存在一定差異，但是對應(yīng)的縮寫基本都是統(tǒng)一的。所以大家不用可以去記下參數(shù)的詳細名稱，只要記住對應(yīng)的縮寫就可以了。

　　內(nèi)存作為電腦的三大核心配件之一其重要性不言而喻，很多用戶也將改善內(nèi)存性能作為提高配置整體性能一個重要手段。提到改善內(nèi)存性能，大家首先想到的可能是增加內(nèi)存容量、對內(nèi)存進行超頻，部分硬件玩家還會想到通過優(yōu)化內(nèi)存參數(shù)改善內(nèi)存性能。不過目前大部分用戶對于內(nèi)存參數(shù)的定義和實際影響并不太了解，針對這一問題，筆者在本文中講重點為大家介紹內(nèi)存參數(shù)的含義，同時通過實際測試讓大家了解內(nèi)存參數(shù)對內(nèi)存性能的影響，以及優(yōu)化參數(shù)設(shè)置時的一些注意事項和技巧。

　　究竟這些參數(shù)的改變對內(nèi)存的幫助有多大，而在超頻的時候，究竟采用哪個參數(shù)呢？相信就是也不能立刻回答這些問題。為了讓喜歡玩內(nèi)存的朋友更加深入了解這些參數(shù)設(shè)置，我們就用評測數(shù)據(jù)來解開內(nèi)存設(shè)置之謎。如果你自認是，那么以下的文章內(nèi)容，你能不看嗎？

　　經(jīng)過52硬件的測試和分析，我們可以對影響DDR2內(nèi)存的諸多因素進行一個簡單的小結(jié)——在所有因素中，工作頻率對于DDR2內(nèi)存影響 為突出。用戶比較關(guān)心的內(nèi)存時序、CMD等參數(shù)對于內(nèi)存性能也有一定影響，但與頻率變化相比影響要小一些。所以，對于追求內(nèi)存性能的用戶而言，大家應(yīng)該把提升內(nèi)存頻率放在首位。找到一個相對合適的超頻頻率后，再通過調(diào)整內(nèi)存參數(shù)對內(nèi)存性能進行進一步的優(yōu)化。

　　具體到內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)，通過此前的測試中我們可以看到調(diào)節(jié)時序參數(shù)可以在一定程度上提升內(nèi)存性能，但提升幅度只有1%-2%。在實際調(diào)節(jié)過程中，大家可以先將tCL、tRCD、tRP、tRAS.