半導體的頻率特性基本取決于其開關特性、雙極型晶體管無論載流子還是空穴，皆存在存儲效應，使響應速度變差。FET無此存在效應，更適于高速開關動作。若以增益頻寬積表示(h)雙極管約為100kHz~10MHz，而FET則可達到100MHz以上。
　　
　　FET的頻寬可以gm/2 πCi表示（Ci為漏源極輸人電容），如日本的2SK146，gm=40ms，Ci=75pF，則其頻寬積約為85MHz。
　　
　　可見輸入電容對放大器頻響的重要性，小功率雙柵MOS FET，由于氧化層極薄，故工作于UHF頻段也極優(yōu)秀。對UHF MOSFET而言，Ci常達1000pF以上，功率越大Ci也越大，IDS達到30A的UHC MOS Ci值接近O,01μF，即使無載流子的存儲效應，大容量的輸入電容也會使MOS關斷延遲，在模擬放大中引起波形失真。為此在音頻范圍應用必須采用輸出阻抗極低的驅(qū)動電路，以使信號輸入時輸入電容能快速充電完畢，驅(qū)動信號迅速達到其峰值。如果信號源內(nèi)阻過高，將產(chǎn)生驅(qū)動電壓的延遲而引起失真。信號源內(nèi)阻很低時充電速度加快，但初始充電電流極大，造成柵極電壓下凹。因此還需在信號源和柵極間接八適當小電阻限制過大充電初始電流。低的信號源內(nèi)阻可提供Ci初始充電電流的能力。
　　
　　在柵極加入小電阻則對初始充電峰流進行適當限制，以避免輸入信號的失真。此為UHF FET放大器擴展頻響，減小波形畸變的關鍵。
　　
　　上述特點是功率型MOS FET用于功放輸出級必須考慮的重點。
　　
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