MOS FET的負(fù)強(qiáng)度系數(shù)特性

★★★★★【文章導(dǎo)讀】：MOS FET的負(fù)強(qiáng)度系數(shù)特性具體內(nèi)容是：FET漏一源極的溝道電流，隨半導(dǎo)體結(jié)溫的升高，當(dāng)VGS不變時(shí)溝道電流會(huì)減小。如UHCMOSFETIRF7663，當(dāng)環(huán)境溫度為25℃，VGS=-4.5V時(shí)，lDS=0.2A。溫度升高為70℃時(shí)，則降低為6.6A。FET溝道電流的負(fù)溫度系數(shù)特性使FET不會(huì)發(fā)…

來(lái)源：日期：2013-11-5 23:28:37 人氣：標(biāo)簽：

　　FET漏一源極的溝道電流，隨半導(dǎo)體結(jié)溫的升高，當(dāng)VGS不變時(shí)溝道電流會(huì)減小。
　　
　　如UHCMOSFETIRF7663，當(dāng)環(huán)境溫度為25℃，VGS=-4.5V時(shí)，lDS=0.2A。溫度升高為70℃時(shí)，則降低為6.6A。FET溝道電流的負(fù)溫度系數(shù)特性使FET不會(huì)發(fā)生熱擊穿。
　　
　　但并不能籠統(tǒng)地說(shuō)FET的負(fù)溫度系數(shù)特性使其無(wú)二次擊穿的可能性，因?yàn)镕ET漏源極之間還存在半導(dǎo)體本體材料的反向漏電流（即不屬于場(chǎng)致溝道電流的漏源極間漏電流），其溫度特性和金屬、半導(dǎo)體完全相同，為正溫度系數(shù)特性。例如FETIRF7663，當(dāng)VDS=-16V，VGS=OV，在25℃時(shí)lDSS=-1μA，當(dāng)溫度升高為70℃時(shí)，外加電壓不變，lDSS升高為-25μA。可見(jiàn)漏電流的正溫度系數(shù)使IDSS增大25倍之多。
　　
　　芯片溫度升高時(shí)漏一源極漏電流增大，同樣會(huì)引起漏源極間本體半導(dǎo)體材料的熱擊穿。
　　
　　由此可見(jiàn)，在FET的漏一源極間的電流IDS由兩部分組成，即受VGS控制的溝道電流和只受VDS反向電壓控制的漏電流。
　　
　　溝道電流為負(fù)溫度系數(shù)，漏電流正由于材料本體的分子的熱騷動(dòng)，而有正溫度系數(shù)。
　　
　　而芯片電流的整體溫度特性則需取決于其工作狀態(tài)下，兩種電流的分布特性。對(duì)不同管型需按其工作特點(diǎn)嚴(yán)密分析、測(cè)試。
【看看這篇文章在百度的收錄情況】