LTPS-TFT液晶顯示器技術及相關參數(shù)的詳細介紹

　　低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；簡稱LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過程中，利用準分子鐳射作為熱源，鐳射光經(jīng)過投射系統(tǒng)后，會產(chǎn)生能量均勻分布的鐳射光束，投射于非晶硅結(jié)構(gòu)的玻璃基板上，當非晶硅結(jié)構(gòu)玻璃基板吸收準分子鐳射的能量后，會轉(zhuǎn)變成為多晶硅結(jié)構(gòu)，因整個處理過程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可適用。

    TFT LCD可分為多晶硅(Poly-Si TFT)與非晶硅(a-Si TFT)，兩者的差異在于電晶體特性不同。多晶硅的分子結(jié)構(gòu)在一顆晶粒（Grain）中的排列狀態(tài)是整齊而有方向性的，因此電子移動率比排列雜亂的非晶硅快了200-300倍；一般所稱的TFT-LCD是指非晶硅，目前技術成熟，為LCD 的主流產(chǎn)品。而多晶硅品則主要含高溫多晶硅(HTPS)與低溫多晶硅(LTPS)二種產(chǎn)品。

　　LTPS-TFT LCD具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點，加上由于LTPS-TFT LCD的硅結(jié)晶排列較a-Si有次序，使得電子移動率相對高100倍以上，可以將外圍驅(qū)動電路同時制作在玻璃基板上，達到系統(tǒng)整合的目標、節(jié)省空間及驅(qū)動IC的成本。

　　同時，由于驅(qū)動IC線路直接制作于面板上，可以減少組件的對外接點，增加可靠度、維護更簡單、縮短組裝制程時間及降低EMI特性，進而減少應用系統(tǒng)設計時程及擴大設計自由度。

　　LTPS-TFT LCD 高技術是做到System on Panel，第1代LTPS-TFT LCD利用內(nèi)建驅(qū)動電路和高性能畫素晶體管而達到高分辨率和高亮度效果，已使得LTPS-TFT LCD和a-Si產(chǎn)生極大差別。

　　第2代LTPS-TFT LCD透過電路技術之進步，由模擬式接口進入數(shù)字式接口，降低耗電。此代LTPS-TFT LCD載子遷移率是a-Si TFT 100倍，電極圖案線寬是4μm左右，尚未充分活用LTPS-TFT LCD特性。

　　第3代LTPS-TFT LCD在周邊大規(guī)模集成電路(LSI)整合比第2代更完備，其目的是：(1)沒有周邊零件可使模塊更輕薄，也可以減少零件數(shù)量和組裝工時；(2)簡化信號處理可降低電力消耗；(3)搭載內(nèi)存可讓消耗電力降至 低。

　　由于LTPS-TFT LCD液晶顯示器具有高分辨率、高色彩飽和度、成本低廉的優(yōu)勢，被寄予厚望成為新一波的顯示器。藉由其高電路整合特性與低成本的優(yōu)勢，在中小尺寸顯示面板的應用上有著絕對的優(yōu)勢。

　　但是p-Si TFT目前存在兩個問題，一是TFT的關態(tài)電流(即漏電流)較大(Ioff=nuVdW/L)；而是高遷移率p-Si材料低溫大面積制備較困難，工藝上存在一定的難度。

　　它是由TFT LCD衍生的新一代的技術產(chǎn)品。LTPS屏幕是通過對傳統(tǒng)非晶硅（a-Si）TFT-LCD面板增加激光處理制程來制造的，元件數(shù)量可減少40%，而連接部分更可減少95%，極大的減少了產(chǎn)品出現(xiàn)故障的幾率。這種屏幕在能耗及耐用性方面都有極大改善，水平和垂直可視角度都可達到170度，顯示響應時間達12ms，顯示亮度達到500尼特，對比度可達500：1。

　　低溫p-Si驅(qū)動器的集成方式主要有種：

　　一是掃描和數(shù)據(jù)開關的混合集成方式，即行電路集成在一起，開關及移位寄存器集成在列電路內(nèi)，多路尋址驅(qū)動器和放大器等用繼承電路外接在平板顯示屏上；

　　二是所有驅(qū)動電路全集成在顯示屏上；

　　三是驅(qū)動和控制電路均集成在顯示屏上。

　　2007年國內(nèi)第一家開始量產(chǎn)小尺寸LTPS模組的公司為京東方現(xiàn)代(北京)顯示技術有限公司。