常見SDRAM的芯片編號認(rèn)識

一、 在選購SDRAM內(nèi)存條時，首先要明白內(nèi)存芯片編號的含義，在其編號中括以下幾個內(nèi)容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過對這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點。

1） 世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下：

▲ HY HYUNDAI ­­------- 現(xiàn)代

▲ MT Micron ------- 美光

▲ GM LG-Semicon

▲ HYB SIEMENS ------ 西門子

▲ HM Hitachi ------ 日立

▲ MB Fujitsu ------ 富士通

▲ TC Toshiba ------ 東芝

▲ KM Samsung ------ 三星

▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng)

1)內(nèi)存芯片速度編號解釋如下:

★ -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.

★ –75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.

★ –8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.

★ –7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.

★ –10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.

3) 編 號 形 式

HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

其中5a中的a表示芯片類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.

b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.

CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.

dd表示帶寬。

f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.

g表示版本號，B—第三代。

h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。

ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.

jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;

10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非PC100)。

例：1） HY57V651620B TC-75

按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.

2) HY57V653220B TC-7

按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ.

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