(1)場效應晶體管
　　
　　場效應管(mosfet)與雙極型晶體管相比，具有如下優點：①電壓驅動，且驅動功率小；②是多數載流子工作器件，開關速度快，無“二次”擊穿，熱穩定性好。因此，場效應管是一種適應開關電源小型化、高效率化和高可靠性要求的理想器件。

　　下圖中，源極跨在兩個半導體區上，n型管箭頭向左，表示載流子電子從源極出發；p型管箭頭向右表示載流子空穴從源極出發。無論哪一型管子都是利用多數載流子導電（雙極型晶體管是包含少數載流子導電的），不存在載流子導電和多余載流子復合表現出來的存儲時間，因此，動作快，頻率高，不存在二次擊穿。
　　
　　在有限管子直接并聯時，由于具有正溫度系數，可以自動均衡電流（雙極型晶體管則是具有負溫度系數，所以并聯要采取均流措施），不會產生過熱點。這些都是mosfet（場效應管）管的優點。
　　
　　使用mosfet功率管比使用雙極型晶體管可得到更多的好處。特別當器件用在高頻時（一般在100khz或更高），mosfet（場效應管）的突出優點更會顯現出來。

　　(2)電路的基本形式
　　
　　①直接驅動式。
　　
　　直接驅動又包括如下具體形式：
　　
　　a．用ttl驅動mosfet。可按上圖所示，用ttl驅動mosfet。
　　
　　另一種驅動mosfet的方法是使用專用的集成化緩沖器。下圖中的ds0026，便是其中一例。 

　　
　　b．用cmos電路驅動mosfet。由于mosfet有很高的輸入阻抗，所以可考慮用cmos電路直接驅動其柵極，如下圖所示。

　　c．用線性互補電路驅動mosfet。用線性運算放大器來直接驅動mosfet，受限制的因素主要是運算放大器的回掃時間較長，因此，采用這種驅動方式的工作頻率限于25 khz以下。為了改善頻帶寬度和回掃速度稍慢的問題，可插入一個射極跟隨器，如下圖所示。

　　②耦合驅動式和混合式。
　　
　　驅動共漏極mos -fet的另一類電路是，利用變壓器耦合，如下圖所示。

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