芯片是核心，由半導體硅材料擴散而成，有單極性和雙極性兩種結構。單極性有一個pn結，如下圖(a)所示；雙極性有兩個pn結，如下圖(b)所示。　　

　　瞬態電壓抑制二極管的工作原理是：利用pn結的齊納擊穿特性而工作的，每一個pn結都有自己的反向擊穿電壓ub。例如：ub為200v，當施加到pn結的反向電壓小于200v時，電流不導通；而當施加到pn結的反向電壓高于200v時，pn結快速進入擊穿狀態，有大電流通過pn結，而ub電壓限制在200v附近。根據這個道理，瞬態電壓抑制二極管在電路中有浪涌電壓產生時，可將高壓脈沖限制在安全范圍，而允許瞬間大電流旁路。

　　因此，瞬態電壓抑制二極管可用于電路過壓保護。雙極性的芯片從結構上講不是簡單由兩個背對背的單極芯片串聯而成的，而是利用現代半導體加工技術在同一硅片的正反兩個面上制作兩個背對背的pn結，用于雙向過壓保護。瞬態電壓抑制二極管芯片的pn結經過玻璃鈍化保護，管體由改性環氧樹脂模塑而成。它具有：體積小、峰值功率大、抗浪涌電壓的能力強、擊穿電壓特性曲線好、齊納阻抗低、雙向電壓對稱性好、反向漏電流小，以及對脈沖的響應時間快等特點，適合在惡劣的環境條件下工作，是一種理想的防雷電保護器件。

　　雙向瞬態抑制二極管的幾種典型的保護電路如下圖所示。

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