MOS-FET晶體管工作原理

★★★★★【文章導(dǎo)讀】：MOS-FET晶體管工作原理具體內(nèi)容是：MOS-FET晶體管是一種通過表面靜電感應(yīng)來控制溝道電導(dǎo)的電壓控制器件，與雙極性晶體管相比具有以下優(yōu)點：當(dāng)柵源電壓固定時．MOS-FET的漏極電流溫度系數(shù)是負(fù)的，即管子的輸出功率隨溫度的升高而下降，使MOS-FET從原理上…

來源：日期：2013-11-5 23:27:39 人氣：標(biāo)簽：

　　MOS-FET晶體管是一種通過表面靜電感應(yīng)來控制溝道電導(dǎo)的電壓控制器件，與雙極性晶體管相比具有以下優(yōu)點：
　　
　　當(dāng)柵源電壓固定時．MOS-FET的漏極電流溫度系數(shù)是負(fù)的，即管子的輸出功率隨溫度的升高而下降，使MOS-FET從原理上消除了熱不穩(wěn)定性二次擊穿的問題。MOS-FET管的跨導(dǎo)是不隨柵源電壓變化的恒定值，可以獲得線性功率放大：MOS-FET管輸入阻抗高，是電壓控制器件，這使輸入電路的功耗大大減小：總耗散功率大，漏源工作電壓可高達(dá)100V以上：MOS-FET功率開關(guān)器件具有較快的開關(guān)速度。
　　
　　金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管按工作方式分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類，而每類又分為N溝道和P溝道。N溝道的場效應(yīng)管的襯底為P型材料，增強(qiáng)型的MOS-FET的柵偏壓為正，耗盡型的柵偏壓為負(fù)。
　　
　　在全固態(tài)廣播電視發(fā)射機(jī)中．其高頻功率放大器的功放管多采用的是N溝道增強(qiáng)型的MOS-FET。

　N溝道增強(qiáng)型MOS-FET在工作時．其柵源電壓VGs和漏源VDs均為正向電壓。當(dāng)柵源電壓VGs=O(或<o)時．雖然漏源電壓VDs為正，但電流不能導(dǎo)通，故漏極電流lD=o，MOS-FET處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)柵源電壓Vcs>0時，并且Vcs>VT(VT為MOS-FET開啟電壓)．加上漏源電壓Vus后就會產(chǎn)生漏極電流ID，且VGS越大．1D也就越大，實現(xiàn)了vcs對ID的控制作用。

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