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VIA芯片組主板 VIA芯片組主板一般比Intel芯片組主板內存設置選項要豐富一些,在這類主板BIOS的Advanced Chipset Features(高級芯片組特性)設置頁面中一般包含以下內存設置項(像DRAM Timing By SPD、SDRAM Cycle Length等參數的意義和設置方法同Intel 815E/815EP芯片組主板,就不再提了): Bank 0/1、2/3、4/5 DRAM Timing(內存速度設定)可選項:Turbo(高速),Fast(快速),Medium(中等),Normal(正常),SDRAM 8/10 ns。該選項用于設定內存的速度,對于SDRAM內存條,設定為SDRAM 8/10 ns即可。 SDRAM Clock(內存時鐘頻率)可選項:HOST CLK,HCLK+33M(或HCLK-33M)。該參數設置內存的異步運行模式。HOST CLK表示內存運行頻率等于系統的外頻,HCLK+33M表示內存運行頻率等于系統外頻再加上33MHz,HCLK-33M表示內存運行頻率等于系統外頻減去33MHz。如PentiumⅢ 800EB時,BIOS自動使該參數的可選項出現HOST CLK和HCLK-33M,如果使用PC133內存,可以將該參數設為HOST CLK,如果使用PC100內存,則可以將該參數設為HCLK-33M,這樣就可使系統配合性能較低的PC100內存使用。內存異步功能使系統對內存的兼容性的提升是比較明顯的,也是VIA芯片組一項比較重要的功能。 Bank Interleave(內存Bank交錯)可選項:Disabled,2-Bank,4-Bank。 內存交錯使SDRAM內存各個面的刷新時鐘信與讀寫時鐘信號能夠交錯出現,這可以實現CPU在刷新一個內存面的同時對另一個內存面進行讀寫,這樣就不必花費專門的時間來對各個內存面進行刷新。而且在CPU即將訪問的一串內存地址分別位于不同內存面的情況下,內存面交錯使CPU能夠實現在向后一個內存面發送地址的同時從前一個內存面接收數據,從而產生一種流水線操作的效果,提高了SDRAM內存的帶寬。因此,有人甚至認為啟用內存交錯對于系統性能的提高比將內存CAS延遲時間從3改成2還要大。 不過,內存交錯是一個比較高級的內存設置選項,有一些采用VIA 694X芯片組的主板由于BIOS版本較舊,可能沒有該設置項,這時可以升級主板的BIOS。如果在 新版的BIOS中仍未出現該設置項,那就只有通過某些VIA芯片組內存BANK交錯開啟軟件,如WPCREdit和相應的插件(可以從“驅動之家”網站下載)來修改北橋芯片的寄存器,從而打開內存交錯模式。 SDRAM Driver Strength(內存訪問信號的強度)可選項:Auto,Manual。此選項用于控制內存訪問信號的強度。一般情況下可以將該選項設置成Auto,此時芯片組承擔內存訪問信號強度的控制工作并自動調整內存訪問信號的強度以與電腦中安裝的內存相適應。如果需要超頻或排除電腦故障,則可以將該參數設為Manual,這時就可以手工調整SDRAM Driver Value(內存訪問信號強度值)的數值。 SDRAM Driver Value(內存訪問信號強度值)可選項:00至FF(十六進制)。該選項決定了內存訪問信號強度的數值。要注意的是只有將SDRAM Driver Strength選項設為 Manual時,SDRAM Driver Value的數值才是有效的。SDRAM Driver Value的范圍是十六進制的00至FF,其數值越大,則內存訪問信號的強度也越大。內存對工作頻率是比較敏感的,當工作頻率高于內存的標稱頻率時,將該選項的數值調高,可以提高電腦在超頻狀態下的穩定性。這種作法盡管沒有提高內存的工作電壓(有一些超頻功能較強的主板可以調整內存的工作電壓),但在提高SDRAM Driver Value的數值時仍然要十分慎重,以免造成內存條的損壞。 Fast R-W Turn Around(快速讀寫轉換)可選項: Enabled,Disabled。當CPU先從內存讀取數據然后向內存寫入數據時,通常存在額外的延遲,該參數可以降低這種讀寫轉換之間的延遲。將該參數設置成Enabled,可以降低內存讀寫轉換延遲,從而使內存從讀狀態轉入寫狀態的速度更快。然而,如果內存不能實現快速讀寫轉換,則會造成數據丟失和系統不穩定,這時就需要將該參數設置成Disabled。 小編:在BIOS中對內存進行優化設置可能會對電腦運行的穩定性造成不良影響,所以建議內存優化后一定要使用測試軟件進行電腦穩定性和速度的測試。如果您對自己內存的性能沒有信心,那么 好采取保守設置,畢竟穩定性是 重要的。如果因內存優化而出現電腦經常死機、重啟動或程序發生異常錯誤等情況,只要清除CMOS參數,再次設置成系統默認的數值就可以了。
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