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驅(qū)動電路及參數(shù)如圖3所示。
HCPL-316J左邊的VIN+,F(xiàn)AULT和RESET分別與微機相連。R7,R8,R9,D5,D6和C12 起輸入保護作用,防止過高的輸入電壓損壞IGBT,但是保護電路會產(chǎn)生約1µs延時,在開關(guān)頻率超過100kHz時不適合使用。Q3 主要起互鎖作用,當(dāng)兩路PWM信號(同一橋臂)都為高電平時,Q3導(dǎo)通,把輸入電平拉低,使輸出端也為低電平。圖3中的互鎖信號Interlock,和Interlock2分別與另外一個316J Interlock2和Interlock1相連。R1和C2起到了對故障信號的放大和濾波,當(dāng)有干擾信號后,能讓微機正確接受信息。
在輸出端,R5和C7關(guān)系到IGBT開通的快慢和開關(guān)損耗,增加C7可以明顯地減小dic/dt。首先計算柵極電阻:其中ION為開通時注入IGBT的柵極電流。為使IGBT迅速開通,設(shè)計,IONMAX值為20A。輸出低電平VOL=2v。可得
C3是一個非常重要的參數(shù), 主要起充電延時作用。當(dāng)系統(tǒng)啟動,芯片開始工作時,由于IGBT的集電極C端電壓還遠遠大于7V,若沒有C3,則會錯誤地發(fā)出短路故障信號,使輸出直接關(guān)斷。當(dāng)芯片正常工作以后,假使集電極電壓瞬間升高,之后立刻恢復(fù)正常,若沒有C3,則也會發(fā)出錯誤的故障信號,使IGBT誤關(guān)斷。但是,C3的取值過大會使系統(tǒng)反應(yīng)變慢,而且在飽和情況下,也可能使IGBT在延時時間內(nèi)就被燒壞,起不到正確的保護作用,C3取值100pF,其延時時間
在集電極檢測電路用兩個二極管串連,能夠提高總體的反向耐壓,從而能夠提高驅(qū)動電壓等級,但二極管的反向恢復(fù)時間要很小,且每個反向耐壓等級要為1000V,一般選取BYV261E,反向恢復(fù)時間75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出現(xiàn)過流信號后具有的軟關(guān)斷特性,其原理是C5通過內(nèi)部MOSFET的放電來實現(xiàn)軟關(guān)斷。圖3中輸出電壓VOUT經(jīng)過兩個快速三極管推挽輸出,使驅(qū)動電流 大能達到20A,能夠快速驅(qū)動1700v、200-300A的IGBT。
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